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Memória RAM PNY MN16GSD43200-SB (3200 MHz - 16 GB - SO-DIMM), imagem 1

Memória RAM PNY MN16GSD43200-SB (3200 MHz - 16 GB - SO-DIMM)

Ref.: MN16GSD43200-SBEAN: 3536403405229PNY
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Memória RAM PNY MN16GSD43200-SB (ref. MN16GSD43200-SB), módulo DDR4 SO-DIMM de 16GB, com velocidade de 3200MHz, latência CL22 e tensão de funcionamento de 1,2V. Destina-se a portáteis e computadores compactos compatíveis.

Tecnologias e Funcionalidades

O formato SO-DIMM de 260 pinos é utilizado em portáteis e sistemas de dimensões compactas. A memória DDR4 funciona a 3200MHz e apresenta latência CAS 22. A tensão indicada é de 1,2V.

Características Principais

  • Capacidade: 16GB, num módulo.
  • Tipo de memória: DDR4 SO-DIMM.
  • Velocidade: 3200MHz.
  • Latência: CL22.
  • Formato: 260 pinos.
  • Tensão: 1,2V.

Especificações Técnicas

  • Marca: PNY
  • Modelo: MN16GSD43200-SB
  • Referência: MN16GSD43200-SB
  • EAN: 3536403405229
  • Capacidade: 16GB (1 × 16GB)
  • Tipo de memória: DDR4
  • Formato: SO-DIMM
  • Velocidade: 3200MHz
  • Latência CAS: CL22
  • Número de pinos: 260
  • Tensão: 1,2V
  • Garantia: 3 anos

Conteúdo da embalagem

  • 1 módulo de memória RAM PNY MN16GSD43200-SB de 16GB

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