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Memória RAM PNY MD16GSD55600-SB (5600 MHz - 16 GB - DIMM), imagem 1
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Memória RAM PNY MD16GSD55600-SB (5600 MHz - 16 GB - DIMM)

Ref.: MD16GSD55600-SBEAN: 3536403406011PNY
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Memória RAM PNY MD16GSD55600-SB (ref. MD16GSD55600-SB) com 16GB DDR5 e velocidade de 5600MHz. Este módulo UDIMM de 288 pinos foi desenvolvido para computadores de secretária compatíveis com memória DDR5.

Tecnologias e Funcionalidades

A memória DDR5 proporciona uma plataforma de memória moderna para sistemas de desktop compatíveis. O módulo não registado funciona a 1,2 V, tem latência CAS 40 e pode ser utilizado em configurações de memória dual-channel compatíveis.

Características Principais

  • Capacidade de 16GB: módulo único com 16GB de memória interna.
  • DDR5 a 5600MHz: velocidade de memória indicada para sistemas compatíveis.
  • Formato UDIMM: módulo DIMM de 288 pinos destinado a computadores de secretária.
  • Latência CL40: latência CAS de 40.
  • Memória não registada: módulo unbuffered sem ECC.

Especificações Técnicas

  • Marca: PNY
  • Modelo: MD16GSD55600-SB
  • Referência: MD16GSD55600-SB
  • EAN: 3536403406011
  • Tipo de memória: DDR5
  • Memória interna: 16 GB
  • Configuração de memória: 1 x 16 GB
  • Velocidade da memória: 5600 MHz
  • Latência CAS: 40
  • Formato: DIMM de 288 pinos
  • Tipo de memória com buffer: Não registada (unbuffered)
  • ECC: Não
  • Canais de memória: Dual-channel
  • Tensão da memória: 1,2 V
  • Compatibilidade: PC

O que está incluído

  • 1x Módulo de memória RAM PNY MD16GSD55600-SB de 16GB

Garantia

Este produto tem garantia do fabricante PNY.

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