SSD SAMSUNG 9100 PRO MZ-VAP1T0BW (1 TB - M.2 2280 - PCI Express 5.0 NVMe)

SSD Interno SAMSUNG 9100 PRO MZ-VAP1T0BW (ref. MZ-VAP1T0BW) com capacidade de 1 TB, formato M.2 2280 e interface PCIe 5.0 x4 com NVMe 2.0. Integra memória V-NAND TLC, controlador Samsung Presto e cache LPDDR4x para transferências de elevado desempenho.

Tecnologias e Funcionalidades

O SSD 9100 PRO utiliza a interface PCIe 5.0 x4 para alcançar até 14 700 MB/s de leitura sequencial e até 13 300 MB/s de escrita sequencial. Suporta encriptação de hardware AES de 256 bits, TCG/Opal 2.0 e Microsoft eDrive para proteção dos dados.

Características Principais

• PCIe 5.0 x4 e NVMe 2.0: interface de elevada largura de banda para PC e consolas de jogos compatíveis.
• Memória V-NAND TLC: armazenamento flash de células de triplo nível com capacidade de 1 TB.
• Desempenho sequencial: até 14 700 MB/s de leitura e 13 300 MB/s de escrita.
• Desempenho aleatório: até 1 850 000 IOPS de leitura e 2 600 000 IOPS de escrita em blocos de 4 KB.
• Segurança: encriptação de hardware AES de 256 bits, com suporte para TCG/Opal 2.0 e Microsoft eDrive.
• Gestão da unidade: compatibilidade com S.M.A.R.T., suporte TRIM e funcionalidade DevSlp.

Capacidade e Dimensões

• Capacidade: 1 TB
• Formato: M.2 2280 (22 x 80 mm)
• Dimensões (A x L x P): 22,1 x 80,2 x 2,38 mm
• Peso: 9 g

Especificações Técnicas

• Marca: SAMSUNG
• Modelo: 9100 PRO
• Referência: MZ-VAP1T0BW
• Capacidade: 1 TB
• Formato: M.2 2280
• Interface: PCI Express 5.0 x4
• Versão NVMe: 2.0
• Tipo de memória: V-NAND TLC
• Controlador: Samsung Presto (S4LY027)
• Cache: LPDDR4x externa
• Leitura sequencial: 14 700 MB/s
• Escrita sequencial: 13 300 MB/s
• Resistência: 600 TBW
• MTBF: 1 500 000 horas

Funcionalidades Extra

• Encriptação de hardware AES de 256 bits
• Suporte TCG/Opal 2.0 e Microsoft eDrive
• Compatível com S.M.A.R.T.
• Suporte TRIM
• Modo de baixo consumo DevSlp
• Sem dissipador

Garantia

Este produto tem garantia do fabricante SAMSUNG de 5 anos.