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SSD SAMSUNG 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW (1 TB - M.2 2280 - PCI Express 4.0 NVMe) — imagem 1
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SSD SAMSUNG 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW (1 TB - M.2 2280 - PCI Express 4.0 NVMe)

Ref.: MZ-V9S1T0BWEAN: 8806095575674SAMSUNG
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SSD Interno SAMSUNG 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW (ref. MZ-V9S1T0BW) com capacidade de 1 TB, formato M.2 2280 e interface PCIe 5.0 x2/PCIe 4.0 x4 com NVMe 2.0. Utiliza memória V-NAND TLC e atinge velocidades sequenciais até 7150 MB/s de leitura e 6300 MB/s de escrita.

Tecnologias e Funcionalidades

O 990 EVO Plus combina um controlador Samsung Piccolo com memória V-NAND TLC para armazenamento de elevado desempenho em computadores. Suporta encriptação de hardware AES de 256 bits, TCG/Opal 2.0 e Microsoft eDrive, além de funcionalidades S.M.A.R.T., TRIM e DevSlp para gestão e monitorização da unidade.

Características Principais

  • Interface PCIe: compatibilidade com PCIe Gen 5.0 x2 e PCIe Gen 4.0 x4, com protocolo NVMe 2.0.
  • Desempenho sequencial: até 7150 MB/s de leitura e 6300 MB/s de escrita.
  • Desempenho aleatório: até 850000 IOPS em leitura aleatória 4 KB e 1350000 IOPS em escrita aleatória 4 KB.
  • Durabilidade: classificação de 600 TBW e MTBF de 1500000 horas.
  • Segurança: encriptação de hardware com AES de 256 bits, TCG/Opal 2.0 e Microsoft eDrive.

Capacidade e Dimensões

  • Capacidade: 1 TB
  • Formato: M.2 2280 (22 x 80 mm)
  • Dimensões (A x L x P): 22,1 x 80,2 x 2,38 mm
  • Peso: 9 g

Especificações Técnicas

  • Marca: SAMSUNG
  • Modelo: 990 EVO Plus
  • Referência: MZ-V9S1T0BW
  • Tipo de memória: V-NAND TLC
  • Componente: PC
  • Controlador: Samsung Piccolo (S4LY022)
  • Refrigeração: Sem dissipador
  • Tensão de funcionamento: 3,3 V
  • Temperatura de funcionamento: 0 - 70 °C
  • Choque operacional: 1500 G

Funcionalidades Extra

  • Suporte NVMe
  • Suporte S.M.A.R.T.
  • Suporte TRIM
  • Funcionalidade DevSlp
  • Encriptação de hardware

O que está incluído

  • 1x SSD Interno SAMSUNG 990 EVO Plus MZ-V9S1T0BW

Garantia

Este produto tem garantia do fabricante SAMSUNG.

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